一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法专利登记公告

专利名称：一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法

摘要：本发明公开了一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，包括：氧化、有源区及场限环光刻的步骤；掺杂与推进的步骤；多晶硅场板制作的步骤；铂扩散的步骤；减薄的步骤；形成N型缓冲层的步骤；接触掺杂和退火的步骤和金属化的步骤。采用本发明所述方法可以用来制造成本低、耐高压、漏电流小、正向压降小，恢复时间短且具有软恢复特性的超快恢复二极管芯片。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210036331.1

专利申请（专利权）人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所

专利发明（设计）人：王成杰;王传敏;殷丽;冯幼明;刘军;姚全斌;郭晨光

主权项：一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，其特征在于包括下列步骤：(1)氧化、有源区及场限环光刻：将高阻硅单晶片清洗处理后进行高温氧化，然后在高阻硅单晶片的正面进行光刻、腐蚀形成场限环及有源区；(2)掺杂与推进：将硼离子注入到场限环及有源区，然后进行高温推进形成阳极区P型层；(3)多晶硅场板制作：在经步骤(2)处理后的高阻硅单晶片的正面淀积多晶硅并进行磷扩散，然后进行光刻、刻蚀形成多晶硅场板；(4)铂扩散：在经步骤(3)处理后的高阻硅单晶片的正面淀积二氧化硅或磷硅玻璃作为钝化层，光刻、腐蚀形成扩铂窗口，进行

专利地区：北京