栅控二极管半导体器件的制备方法专利登记公告

专利名称：栅控二极管半导体器件的制备方法

摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明中，当栅极电压较高时，栅极下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过栅极实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗，特别适用于平板显示、相变存储器的读写器件以及基于柔性衬底的半导体器件的制造中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210001675.9

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：王鹏飞;曹成伟;孙清清;张卫

主权项：一种栅控二极管半导体器件的制备方法，其特征在于具体步骤包括：提供一个重掺杂的n型硅衬底；在所述n型硅衬底之上形成第一种绝缘薄膜；在所述第一种绝缘薄膜之上形成一层ZnO层；刻蚀所述ZnO层形成有源区；在所述ZnO介质层之上形成第二种绝缘薄膜；刻蚀所述第二种绝缘薄膜形成窗口，该窗口位于ZnO有源区的一端；在所述第二种绝缘薄膜上旋涂一层具有第一种掺杂类型的旋涂介质，该旋涂介质与所述第二种绝缘薄膜的窗口处与ZnO接触；利用高温扩散工艺在所述ZnO介质层内的所述第二种绝缘薄膜的窗口处形成具有第一种掺杂类型的掺杂区，

专利地区：上海