一种二极管芯片的酸洗工艺专利登记公告
专利名称:一种二极管芯片的酸洗工艺
摘要:本发明公开了一种二极管芯片的酸洗工艺,依次为混合酸清洗,酸与双氧水混合清洗,氨水与双氧水混合清洗,所述酸与双氧水混合清洗液为双氧水,硫酸,纯水,它们的体积配比是双氧水∶硫酸∶纯水为1∶1∶15~30,混合液具体配制为:先加入纯水,在加入双氧水,最后加入硫酸。改进后的硫酸混合液能较好的替代磷酸混合液,且配比浓度低,既节约了成本,又消除了磷离子污染。
专利类型:发明专利
专利号:CN201110436748.2
专利申请(专利权)人:重庆平伟实业股份有限公司
专利发明(设计)人:李述洲;王艳明;安国星
主权项:一种二极管芯片的酸洗工艺,依次为混合酸清洗,酸与双氧水清洗,氨水与双氧水清洗,其特征在于:所述酸与双氧水的混合清洗液为双氧水,硫酸和纯水,所述双氧水,硫酸和纯水的体积比为1:1:15~30。
专利地区:重庆
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