纵向电压控制变容器及其制备方法专利登记公告

专利名称：纵向电压控制变容器及其制备方法

摘要：本发明公开了一种纵向电压控制变容器，其包括衬底，所述衬底上有和衬底具有相同掺杂类型的外延层，所述外延层中至少包含一个沟槽，所述沟槽的内壁和所述外延层上表面覆盖有介电层，多晶硅填充在所述沟槽和所述外延层上表面，所述多晶硅通过金属连接形成电压控制变容器的一个电极，衬底背面通过金属淀积形成电压控制变容器的另一个电极。上述结构，使得两电极间的介电层面积变大，电容值调节范围变大。本发明还公开了一种纵向电压控制变容器的制备方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010598472.3

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：金勤海;陈正嵘;沈浩峰

主权项：一种纵向电压控制变容器，其特征在于：包括衬底，所述衬底上有和衬底具有相同导电类型的外延层，所述外延层中至少包含一个沟槽，所述沟槽的内壁和所述外延层上表面覆盖有介电层，多晶硅填充在所述沟槽和所述外延层上表面，所述多晶硅通过金属连接形成电压控制变容器的一个电极，衬底背面通过金属淀积形成电压控制变容器的另一个电极。

专利地区：上海