图像传感器专利登记公告
专利名称：图像传感器
摘要：根据本发明的图像传感器包括：光感元件、传输管、重置晶体管、以及源跟随晶体管；其中，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层上布置了一个多晶硅层以形成MOS电容，所述MOS电容与浮置扩散区PN结电容并联；并且，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层的体内形成了一个二氧化硅层。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210030437.0
专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司
专利发明（设计）人：饶金华;张克云;吴小利
主权项：一种图像传感器，其特征在于包括：光感元件、传输管、重置晶体管以及源跟随晶体管；其中，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层上布置了一个多晶硅层以形成MOS电容，所述MOS电容与浮置扩散区PN结电容并联；并且，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层的体内形成了一个二氧化硅层。
专利地区：上海
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