太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片专利登记公告

专利名称：太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片

摘要：本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面形成N+型掺杂层；在该N+型掺杂层表面形成具有图样的薄膜，其中，未被该薄膜覆盖的区域为开放区域；对该开放区域进行蚀刻，蚀刻深度大于该N+型掺杂层的厚度并且直至该N型基底；加速P型离子并通过离子注入的方式将该P型离子从该N型基底表面的该开放区域注入至N型基底中以形成P+型掺杂区域，其中，该P+型掺杂区域与该未经蚀刻的N+型掺杂层互不接触；去除该具有图样的薄膜，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明还公开了一种掺杂晶片。本发明的

专利类型：发明专利

专利号：CN201010598951.5

专利申请（专利权）人：上海凯世通半导体有限公司

专利发明（设计）人：钱锋;陈炯;洪俊华

主权项：一种太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S1、在N型基底表面中形成N+型掺杂层；步骤S2、在该N+型掺杂层表面形成具有图样的薄膜，其中，未被该具有图样的薄膜覆盖的区域为开放区域；步骤S3、对该开放区域进行蚀刻，蚀刻深度大于该N+型掺杂层的厚度并且直至该N型基底，以在该N型基底表面与该开放区域相对应的位置形成一凹槽；步骤S4、在N型基底的凹槽表面中形成P+型掺杂区域，其中，该P+型掺杂区域与该未经蚀刻的N+型掺杂层互不接触；步骤S5、去除该具有图样的薄膜，其中，所述的P型替换为N型时，N型

专利地区：上海