阻变随机存储装置及系统专利登记公告

专利名称：阻变随机存储装置及系统

摘要：本发明公开了一种阻变随机存储装置及系统。该阻变随机存储装置通过在正向偏压下降低电子所需跨越的势垒从而提高电子电流，引入异质结的价带偏移形成大的空穴势垒和空穴累积，通过调制电势分布增加电流。上述这种正反馈的存在将有效的提高整流二极管的正向开态电流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010599603.X

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：霍宗亮;刘明

主权项：一种阻变随机存储装置，其特征在于，包括互相连接的阻变存储元件和二极管元件；所述二极管元件包括二极管区域，所述二极管区域包括n型区和p型区：所述n型区和p型区组成异质结，该异质结能够利用构成该异质结的材料之间的导带偏移和价带偏移来调整通过该异质结的载流子势垒，从而增加流经所述异质结的正\反向电流密度。

专利地区：北京