存储元件、存储元件制造方法和存储装置专利登记公告

专利名称：存储元件、存储元件制造方法和存储装置

摘要：本发明公开了存储元件、存储元件制造方法和存储装置，所述存储元件能够抑制由于存储层的劣化而导致的存储特性变差。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括含有氟化物的电阻变化层以及布置于所述电阻变化层与所述第二电极之间的离子源层。或者，所述存储层包括位于所述第一电极侧的电阻变化层以及布置于所述电阻变化层与所述第二电极之间的离子源层，并且所述第一电极含有氟或磷。所述存储元件制造方法包括下列步骤：形成含有氟或磷的第一电极；在所述第一电极上依次设置电阻变化层和离子源层，由此形成存储层；以及

专利类型：发明专利

专利号：CN201110399205.8

专利申请（专利权）人：索尼公司

专利发明（设计）人：清宏彰;保田周一郎

主权项：一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，所述电阻变化层含有氟化物；以及离子源层，所述离子源层布置于所述电阻变化层与所述第二电极之间。

专利地区：日本