非易失性半导体存储器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：非易失性半导体存储器件及其制造方法

摘要：本发明提供了非易失性半导体存储器件及其制造方法。该器件包括多条下部互连线、横跨在所述多条下部互连线上方的上部互连线、分别布置在所述多条下部互连线与所述多条上部互连线之间的多个相交区域处的多个选择元件、以及布置在所述选择元件与所述上部互连线之间的存储元件，其中，所述多个选择元件的每一个都形成在半导体图案中，所述半导体图案关于平行于所述下部互连线且垂直于所述上部互连线的平面实质呈镜像不对称。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110455205.5

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：金荣国;全麟商;金永锡;朴瑛琳;安皓均

主权项：一种半导体器件，包括多条下部互连线、横跨在所述多条下部互连线上方的上部互连线、分别布置在所述多条下部互连线与所述多条上部互连线之间的多个相交区域处的多个选择元件、以及布置在所述选择元件与所述上部互连线之间的存储元件，其中，所述多个选择元件的每一个都形成在半导体图案中，所述半导体图案关于平行于所述下部互连线且垂直于所述上部互连线的平面实质呈镜像不对称。

专利地区：韩国