一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法专利登记公告

专利名称：一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法

摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，该方法采用正性光刻胶进行光刻，其光刻过程为：处理基片表面-涂覆正性光刻胶-前烘-采用显影液浸泡-曝光-曝光后烘烤-显影-坚膜。该剥离方法采用了正性光刻胶，在光刻过程中增加了曝光前浸泡显影液的步骤，对正性光刻胶的光刻工艺进行了改良，从而优化了剥离效果，该工艺简单易操作，能大大降低生产成本；并适合于大规模化的生产。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010600918.1

专利申请（专利权）人：上海蓝光科技有限公司

专利发明（设计）人：朱广敏;郝茂盛;潘尧波;张楠;陈诚;袁根如;齐胜利;李士涛

主权项：一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于，采用正性光刻胶进行光刻，其光刻过程如下：步骤一、处理基片表面；步骤二、在处理后的基片表面涂覆正性光刻胶；步骤三、对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片进行前烘；步骤四、采用显影液浸泡所述前烘后的表面涂覆有正性光刻胶的基片；步骤五、将所述采用显影液浸泡后的表面涂覆有正性光刻胶的基片置于掩模板下曝光；步骤六、对所述曝光后表面涂覆有正性光刻胶的基片烘烤；步骤七、对所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻胶的基片显影；步骤八、对所述显影后的表面涂覆有正性光刻胶的基片坚膜。

专利地区：上海