一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法专利登记公告

专利名称：一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法

摘要：本发明公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法，首先在生长衬底上依次生长出N型半导体层、有源层及P型半导体层，以形成芯片外延结构；在P型半导体层上制作电流扩散层、P反射镜及P键合层；腐蚀单晶Si片形成具有规则图形化表面的Si转移衬底；并在其规则图形化表面制作金属键合层与所述P键合层键合；剥离所述生长衬底制作N电极，并在所述Si转移衬底的另一面制作P电极。本发明的工艺方法能够使Si转移衬底与金属键合层的接触面积增大，从而提高键合的粘附性，有利于垂直结构LED芯片良品率的提高；且Si转移衬底与金属键合层界面

专利类型：发明专利

专利号：CN201010584445.0

专利申请（专利权）人：上海蓝光科技有限公司

专利发明（设计）人：张楠;齐胜利;潘尧波;郝茂盛

主权项：一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在生长衬底上依次生长出N型半导体层、有源层及P型半导体层，从而形成芯片外延结构；步骤二、在P型半导体层上依次制作电流扩散层、P反射镜及P键合层；步骤三、提供单晶Si片，并腐蚀所述单晶Si片，形成具有规则图形化表面的Si转移衬底；步骤四、清洗所述Si转移衬底，并在其规则图形化表面制作金属键合层；步骤五、将所述Si转移衬底制作有金属键合层的一面与所述P键合层键合；步骤六、剥离所述生长衬底，清洗芯片外延结构的N型半导体层，在N型半导体层上制

专利地区：上海