铜铟硒类太阳能电池及其制作方法专利登记公告

专利名称：铜铟硒类太阳能电池及其制作方法

摘要：一种铜铟硒类太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包含基板、背部金属电极、光吸收层、透明导电层以及接触电极层，光吸收层包含多个不同原子比例的铜铟镓硒化合物薄膜，或铜铟镓硒硫化合物薄膜，且在制程中是以不同的靶材直接在背部金属电极上直接以直流或射频溅镀成膜，不需硒化，具有较安全、高效率及成本低的制程，且成份控制容易、晶相单一、浓度均匀，也提高了转换效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010601049.4

专利申请（专利权）人：慧濠光电科技股份有限公司

专利发明（设计）人：钟润文

主权项：一种铜铟硒类太阳能电池，包含：基板；背部金属电极，形成于该基板上，以高反射性的金属材料形成；光吸收层，形成于该背部金属电极之上，该光吸收层包含多个光吸收薄膜，且所述光吸收薄膜是原子比例为CuxIn1?yGaySez，0≤x≤1.2，0≤y≤1，1.6≤z≤2.4的铜铟镓硒化合物薄膜，或是原子比例为CuxIn1?yGay(SzSe1?z)2，0.5≤x≤2，0≤y≤1，0≤z≤0.3的铜铟镓硒硫化合物薄膜；透明导电层，形成于该光吸收层之上，为透明导电氧化物薄膜；以及接触电极层，形成于该透明导电氧化层之上，以

专利地区：台湾