薄膜太阳能电池及其制作方法专利登记公告

专利名称：薄膜太阳能电池及其制作方法

摘要：本发明是有关于薄膜太阳能电池及其制作方法，其中，薄膜太阳能电池是包括：一基板；一第一电极，是设置于基板上；一阻挡层，是设置于第一电极上，其中阻挡层的材料是为一导电材料；一欧姆接触层，是设置于阻挡层上；一吸收层，是设置于欧姆接触层上；一缓冲层，是设置于吸收层上；一透明导电层，是设置于缓冲层上；以及一第二电极，是设置于透明导电层上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110441126.9

专利申请（专利权）人：彭洞清

专利发明（设计）人：彭洞清;方嘉锋

主权项：一种薄膜太阳能电池，包括：一基板；一第一电极，设置于该基板上；一阻挡层，设置于该第一电极上，其中该阻挡层的材料为一导电材料；一欧姆接触层，设置于该阻挡层上；一吸收层，设置于该欧姆接触层上；一缓冲层，设置于该吸收层上；一透明导电层，设置于该缓冲层上；以及一第二电极，设置于该透明导电层上。

专利地区：台湾