SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法专利登记公告

专利名称：SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法

摘要：本申请公开了SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法，其中将包含SOG层或光抗蚀剂层的晶片放置在反应室中，向反应室中流入刻蚀气体，并且向晶片施加RF功率以产生等离子体，等离子体中的高能离子侵蚀SOG层或光抗蚀剂材料并与之反应，以平整SOG层或光抗蚀剂层的表面，其中，控制反应室气压，使得对SOG层或光抗蚀剂层中央的刻蚀速率大于对晶片边缘位置的刻蚀速率，以获得SOG层或光抗蚀剂层的凹形刻蚀剖面形状。本发明可用于在集成电路中提供近全局平坦化的隔离结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010601185.3

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：殷华湘;徐秋霞;贺晓斌;陈大鹏

主权项：一种SOG层的反应离子刻蚀方法，其中将包含SOG层的晶片放置在反应室中，向反应室中流入刻蚀气体，并且向晶片施加RF功率以产生等离子体，等离子体中的高能离子侵蚀SOG材料并与之反应，以平整SOG层的表面，其中，控制反应室气压，使得对SOG层中央的刻蚀速率大于对晶片边缘位置的刻蚀速率，以获得SOG层的凹形刻蚀剖面形状。

专利地区：北京