半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置的制造方法

摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。所述方法包括：在基板的第一面和第二面上形成第一绝缘膜；去除第二面上的第一绝缘膜；在第一面上的第一绝缘膜和第二面上形成多晶硅膜；在第一面和第二面上的多晶硅膜上形成第二绝缘膜；通过使用包含开口的掩模蚀刻第一面上的第二绝缘膜；去除第一面和第二面上的第二绝缘膜；以及去除第一面侧的多晶硅膜。所述方法还包括：在多晶硅膜形成步骤之后且在多晶硅膜去除步骤之前，形成保护第二面侧的多晶硅膜的钝化膜，使得第二面侧的多晶硅膜在多晶硅膜去除步骤中不被去除。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110416334.3

专利申请（专利权）人：佳能株式会社

专利发明（设计）人：中泽亨

主权项：一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：第一绝缘膜形成步骤，在半导体基板的第一面和第二面上形成第一绝缘膜；第一绝缘膜去除步骤，去除第二面侧的第一绝缘膜；多晶硅膜形成步骤，在第一面侧的第一绝缘膜和半导体基板的第二面上形成多晶硅膜；第二绝缘膜形成步骤，在第一面侧和第二面侧的多晶硅膜上形成第二绝缘膜；形成隔离的隔离形成步骤，隔离形成步骤包括通过使用包含开口的掩模蚀刻第一面侧的第二绝缘膜的处理，其中，隔离由开口限定并且形成在半导体基板的第一面中；第二绝缘膜去除步骤，在隔离形成步骤之后去除第一面侧和第二面侧的第二绝

专利地区：日本