半导体结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体结构及其制造方法

摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一半导体基底、一隔离层、一第一金属层与一第二金属层。半导体基底包括一基底上表面与一半导体元件。半导体元件在基底上表面下。隔离层具有相对的一第一侧边与一第二侧边。第一金属层设置于基底上表面上。第一金属层与第二金属层分别在第一侧边与第二侧边上。第二金属层的下表面在基底上表面的下方。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010601724.3

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：陈士弘

主权项：一种半导体结构，包括：半导体基底，包括基底上表面与半导体元件，该半导体元件在该基底上表面下；隔离层，具有相对的一第一侧边与一第二侧边；第一金属层，设置于该基底上表面上；以及第二金属层，该第一金属层与该第二金属层分别在该第一侧边与该第二侧边上，该第二金属层的下表面在该基底上表面的下方。

专利地区：台湾