双扩散金属氧化物半导体器件专利登记公告

专利名称：双扩散金属氧化物半导体器件

摘要：本发明实施例公开了一种双扩散金属氧化物半导体器件，包括：源区、栅区和漏区；所述源区和栅区表面上分别对应设置有源极金属层和栅极金属层；所述源极金属层的图形与所述栅极金属层的图形不同。本实施例所提供的技术方案中，所述双扩散金属氧化物半导体器件中，源极金属层的图形与栅极金属层的图形不同，因此，后续器件封装制程中的封装设备能够根据图形的不同，实现区分并识别源极金属层和栅极金属层，该方案无需增大源极金属层和栅极金属层之间的距离，能够降低DMOS器件面积，进而实现降低生产成本，优化DMOS器件性能。此外，生产该DMO

专利类型：发明专利

专利号：CN201010601804.9

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：曹建;赵广艳;高东岳

主权项：一种双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：源区、栅区和漏区；所述源区和栅区表面上分别对应设置有源极金属层和栅极金属层；所述源极金属层的图形与所述栅极金属层的图形不同。

专利地区：江苏