具有屏蔽栅的VDMOS器件及其制备方法专利登记公告

专利名称：具有屏蔽栅的VDMOS器件及其制备方法

摘要：本发明公开了一种具有屏蔽栅的VDMOS器件，为在VDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，屏蔽栅的两边叠加在位于其两边的VDMOS器件的控制栅上，该屏蔽栅与控制栅和漂移区之间均通过绝缘层隔离。采用本发明的结构，能有效降低器件的米勒电容，降低开关功耗并提高开关的速度。本发明还公开一种具有屏蔽栅的VDMOS器件的制备方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010595417.9

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：金勤海;缪进征;李陆萍

主权项：一种具有屏蔽栅的VDMOS器件，其特征在于：在VDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，所述屏蔽栅的两边分别叠加设置在位于其两边的VDMOS器件的控制栅上，该屏蔽栅与所述控制栅和所述漂移区之间均通过绝缘层隔离。

专利地区：上海