具有屏蔽栅的VDMOS结构及其制备方法专利登记公告
专利名称：具有屏蔽栅的VDMOS结构及其制备方法
摘要：本发明公开了一种具有屏蔽栅的VDMOS结构，为在VDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，所述VDMOS器件的控制栅位于所述屏蔽栅的两边，且所述控制栅有部分叠加在所述屏蔽栅两边之上，该屏蔽栅与所述控制栅和所述漂移区之间均通过绝缘层隔离。采用本发明的结构，能有效降低器件的米勒电容，降低开关功耗并提高开关的速度。本发明还公开一种具有屏蔽栅的VDMOS结构的制备方法。
专利类型：发明专利
专利号：CN201010595051.5
专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司
专利发明（设计）人：金勤海;丛茂杰;周颖
主权项：一种具有屏蔽栅的VDMOS结构，其特征在于：在VDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，所述VDMOS器件的控制栅位于所述屏蔽栅的两边，且所述控制栅各有一边叠加在所述屏蔽栅之上，该屏蔽栅与所述控制栅和所述漂移区之间均通过绝缘层隔离。
专利地区：上海
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