沟槽MOSFET器件及其制作方法专利登记公告

专利名称：沟槽MOSFET器件及其制作方法

摘要：本发明实施例公开了一种沟槽MOSFET器件及其制作方法。所述沟槽MOSFET器件包括：基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层；位于所述外延层中的第一沟槽和接触孔；其中，所述第一沟槽为梳状沟槽。本发明所提供的沟槽MOSFET器件，由于其外延层中的第一沟槽为梳状沟槽，而梳状沟槽所具有的弯曲结构能明显增加沟道宽度，从而可减小沟道电阻，进一步可减小导通电阻。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010593571.2

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：王加坤

主权项：一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层；位于所述外延层中的第一沟槽和接触孔；其中，所述第一沟槽为梳状沟槽。

专利地区：江苏