一种MOS管及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种MOS管及其制造方法

摘要：本发明提供一种MOS管及其制造方法，该MOS管包括一种MOS管，包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底层、超薄BOX层和超薄SOI层；金属栅极层，位于所述SOI衬底上；以及接地晕圈区，位于所述硅衬底层中，且位于所述金属栅极层的下方。该MOS管的制造方法包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底层、超薄BOX层和超薄SOI层；在所述SOI衬底上形成伪栅极导体层，以及环绕所述伪栅极导体层的侧墙；去除所述伪栅极导体层，以形成开口；向所述开口内执行离子注入，以在所述硅衬底层中形成接地晕圈区；以及在所述开口

专利类型：发明专利

专利号：CN201010587887.0

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：朱慧珑;尹海洲;骆志炯

主权项：一种MOS管，包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底层、超薄BOX层和超薄SOI层；金属栅极层，位于所述SOI衬底上；以及接地晕圈区，位于所述硅衬底层中，且位于所述金属栅极层的下方。

专利地区：北京