金属氧化半导体元件及其形成方法专利登记公告

专利名称：金属氧化半导体元件及其形成方法

摘要：本发明公开了一种金属氧化半导体元件及其形成方法，该金属氧化半导体元件是一种金属氧化半导体晶体管，特别是关于低导通电阻降低表面电场横向扩散金属氧化半导体晶体管。低导通电阻降低表面电场横向扩散金属氧化半导体晶体管包括一漂移区域、二隔离区域、一第一掺杂型层、一第二掺杂型层。二隔离区域形成于漂移区域上。第一掺杂型层设置于二隔离区域之间。第二掺杂型层设置于第一掺杂型层之下。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010586813.5

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：朱建文;陈永初;吴锡垣

主权项：一种金属氧化半导体元件，其特征在于，包括：一漂移区域；二隔离区域，形成于该漂移区域上；一第一掺杂型层，设置于该二隔离区域之间；以及一第二掺杂型层，设置于该第一掺杂型层之下。

专利地区：台湾