具有屏蔽栅的LDMOS结构及其制备方法专利登记公告
专利名称：具有屏蔽栅的LDMOS结构及其制备方法
摘要：本发明公开了一种具有屏蔽栅的LDMOS结构，为在LDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，屏蔽栅与LDMOS器件的控制栅部分重叠，该屏蔽栅与控制栅和漂移区之间均通过绝缘层隔离。本发明的LDMOS结构，有效降低了栅漏之间的寄生电容。本发明还公开了一种具有屏蔽栅的LDMOS结构的制备方法。
专利类型：发明专利
专利号：CN201010576679.0
专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司
专利发明（设计）人：金勤海;刘春玲;王鹏
主权项：一种具有屏蔽栅的LDMOS结构，其特征在于：在LDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，所述屏蔽栅的一部分与所述LDMOS器件的控制栅一部分重叠，且所述屏蔽栅的部分位于所述控制栅之上，该屏蔽栅与所述控制栅和所述漂移区之间均通过绝缘层隔离。
专利地区：上海
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