化合物半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：化合物半导体器件及其制造方法

摘要：本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件包括：化合物半导体层，布置在所述化合物半导体层上方的栅电极，以及栅极绝缘膜。栅极绝缘膜插入在所述化合物半导体层与所述栅电极之间。所述栅极绝缘膜至少在与所述化合物半导体层交界的界面附近包含氟化合物。本发明通过减少栅极绝缘膜中的悬空键，使阈值电压的变化得到抑制，并且因而实现了具有高晶体管特性的高度可靠的化合物半导体器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110416092.8

专利申请（专利权）人：富士通株式会社

专利发明（设计）人：镰田阳一

主权项：一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；栅电极，布置在所述化合物半导体层上方；以及栅极绝缘膜，插入在所述化合物半导体层与所述栅电极之间，所述栅极绝缘膜至少在与所述化合物半导体层交界的界面附近包含氟化合物。

专利地区：日本