半导体器件以及用于制造半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

摘要：本发明公开了一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：第一半导体层，置于衬底的上方；第二半导体层，置于第一半导体层的上方；栅极凹陷，通过去除部分或全部的第二半导体层而置于第一半导体层上方的预定区域中；绝缘膜，置于栅极凹陷和第二半导体层的上方；栅极，置于栅极凹陷的上方，在栅极与栅极凹陷之间具有绝缘膜；源极和漏极，置于第一半导体层或第二半导体层的上方，其中，栅极凹陷的中心部分高于栅极凹陷的周边部分。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110408970.1

专利申请（专利权）人：富士通株式会社

专利发明（设计）人：远藤浩;多木俊裕;吉川俊英

主权项：一种半导体器件，包括：第一半导体层，置于衬底的上方；第二半导体层，置于所述第一半导体层的上方；栅极凹陷，通过去除部分或全部的所述第二半导体层而被置于所述第一半导体层上方的预定区域中；绝缘膜，置于所述栅极凹陷和所述第二半导体层的上方；栅极，置于所述栅极凹陷的上方，在所述栅极与所述栅极凹陷之间具有所述绝缘膜；以及源极和漏极，置于所述第一半导体层或所述第二半导体层的上方，其中，所述栅极凹陷的中心部分高于所述栅极凹陷的周边部分。

专利地区：日本