化合物半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：化合物半导体器件及其制造方法

摘要：一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括AlxGa1-xN(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。本发明具有良好的结晶度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110402804.0

专利申请（专利权）人：富士通株式会社

专利发明（设计）人：清水早苗;今西健治;山田敦史;宫岛豊生

主权项：一种化合物半导体器件，包括：衬底；电子渡越层，形成在所述衬底的上方；电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在所述衬底与所述电子渡越层之间且包括AlxGa1?xN，其中0≤x≤1，其中x值表示沿所述缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，并且在所述缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。

专利地区：日本