具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法专利登记公告

专利名称：具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法

摘要：一种具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有替代栅电极层，以及覆盖所述替代栅电极层的覆盖层；形成覆盖所述半导体衬底和覆盖层的层间介质层；对所述层间介质层进行第一步研磨处理，直至暴露覆盖层位于替代栅电极层顶部的部分；向所述层间介质层注入氮离子，注入深度大于覆盖层位于替代栅电极层顶部的部分的厚度；对所述层间介质层和覆盖层进行第二步研磨处理，直至暴露所述替代栅电极层；湿法去除替代栅电极层；形成金属栅。通过本发明所提供的具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方

专利类型：发明专利

专利号：CN201010604745.0

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：蒋莉;黎铭琦

主权项：一种具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有替代栅电极层，以及覆盖所述替代栅电极层的覆盖层；形成覆盖所述半导体衬底，且与覆盖层位于所述替代栅电极层顶部的部分齐平的层间介质层；向所述层间介质层和覆盖层注入氮离子，注入深度大于覆盖层位于替代栅电极层顶部的部分的厚度；对所述层间介质层和覆盖层进行研磨处理，直至暴露所述替代栅电极层；去除替代栅电极层。

专利地区：上海