P型高浓度掺杂硅及BCD产品P沟道MOS管制作工艺专利登记公告

专利名称：P型高浓度掺杂硅及BCD产品P沟道MOS管制作工艺

摘要：本发明公开了一种P型高浓度掺杂硅及BCD产品P沟道MOS管制作工艺，用以解决现有技术中制作的P型高浓度掺杂硅由于晶格缺陷导致的漏电问题。该P型高浓度掺杂硅的工艺实现方法中，低压淀积氧化硅介质层，然后对衬底进行光刻，定义注入区域，在定义的注入区域内，注入硼离子，对注入的硼离子进行高温退火。由于在本发明实施例制作P型高浓度掺杂硅前，低压淀积氧化硅介质层，可以缓减硼离子注入对硅表面的撞击，在进行离子注入时，注入的为硼离子，由于硼离子的分子量比较小，因此注入的能量较小，对硅表层的撞击减小，而且注入的杂质不包含氟原

专利类型：发明专利

专利号：CN201010608139.6

专利申请（专利权）人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

专利发明（设计）人：潘光燃

主权项：一种P型高浓度掺杂硅的工艺实现方法，其特征在于，包括：低压淀积氧化硅介质层；对衬底进行光刻，定义注入区域；在定义的注入区域内，注入硼离子；对注入的硼离子进行高温退火。

专利地区：北京