金属氧化物半导体管的制作方法专利登记公告

专利名称：金属氧化物半导体管的制作方法

摘要：本发明提供了一种金属氧化物半导体(MOS)管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极及半导体衬底的表面依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层；各向异性刻蚀第二氧化层，刻蚀停止在氮化层上；进行灰化和湿法去除刻蚀第二氧化层过程中产生的聚合物；各向异性刻蚀氮化层，刻蚀停止在第一氧化层上；经过各向异性刻蚀，保留多晶硅栅极两侧的第一氧化层、氮化层和第二氧化层，形成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)侧壁层；以多晶硅栅极和ONO侧壁层为掩膜对半导体衬底进行离子注入，形成源漏极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010612068.7

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：唐兆云

主权项：一种金属氧化物半导体管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极及半导体衬底的表面依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层；各向异性刻蚀第二氧化层，刻蚀停止在氮化层上；进行灰化和湿法去除刻蚀第二氧化层过程中产生的聚合物；各向异性刻蚀氮化层，刻蚀停止在第一氧化层上；经过各向异性刻蚀，保留多晶硅栅极两侧的第一氧化层、氮化层和第二氧化层，形成氧化物?氮化物?氧化物ONO侧壁层；以多晶硅栅极和ONO侧壁层为掩膜对半导体衬底进行离子注入，形成源漏极。

专利地区：上海