半导体器件及其形成方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其形成方法

摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：提供硅基底，所述硅基底上形成有栅堆叠结构，所述硅基底的晶面指数为{100}；形成层间介质层，覆盖所述硅基底的表面；在所述层间介质层和/或栅堆叠结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>且垂直于所述栅堆叠结构的延伸方向；在所述第一沟槽中填充第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层。本发明以较简单的工艺在沟道宽度方向引入张应力，提高了器件的响应速度，改善了器件性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010612577.X

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：尹海州;钟汇才;朱慧珑;骆志炯

主权项：一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供硅基底，所述硅基底上形成有栅堆叠结构，所述硅基底的晶面指数为{100}；形成层间介质层，覆盖所述硅基底的表面；在所述层间介质层和/或所述栅堆叠结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>且垂直于所述栅堆叠结构的延伸方向；在所述第一沟槽中填充第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层。

专利地区：北京