用于非平面酞菁薄膜弱外延生长的固熔体诱导层专利登记公告

专利名称：用于非平面酞菁薄膜弱外延生长的固熔体诱导层

摘要：本发明涉及用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层以及在该固熔体诱导层上弱外延生长形成的非平面酞菁薄膜及包含该非平面酞菁薄膜的有机薄膜晶体管。固熔体诱导层是由通式I和II所示种的任意两种诱导层分子：(通式I)(通式II)在一定的衬底温度下采用共蒸镀的分子气相沉积方法制成。该固熔体诱导层具有均一结构，其晶胞参数和能级通过调节组分比例进行调控，该固熔体诱导层可弱外延生长高质量的非平面酞菁薄膜以及形成基于此薄膜的高性能晶体管器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010605569.2

专利申请（专利权）人：上海中科联和显示技术有限公司

专利发明（设计）人：闫东航;耿延候;田洪坤;黄丽珍;申剑锋;郭晓东

主权项：一种用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层，其特征在于，所述固熔体诱导层由两种诱导层分子在一定基底温度下共蒸镀形成，所述固熔体诱导层薄膜均匀一致，单畴呈现类单晶结构；所述诱导层分子为具有以下结构通式的分子中的任意两种：(通式I)(通式II)通式I中的Ar为芳香共轭基团或以下结构之一：n＝2(5)，3(6)，4(7)，通式I和II中的R1为氢原子(H)或氟原子(F)，R2为氢原子(H)或氟原子(F)。FSA00000398346600011.tif,FSA00000398346600012.tif,FS

专利地区：上海