蓝宝石晶体的生长方法及设备专利登记公告

专利名称：蓝宝石晶体的生长方法及设备

摘要：本发明揭示了一种蓝宝石晶体的生长方法及设备，所述方法包括：步骤S1：将设定重量的高纯蓝宝石块料或粉料装入坩埚中，而后将坩埚置于晶体生长炉内；坩埚中设有导模模具；步骤S2：将晶体生长炉抽真空；步骤S3：通过主加热器控制晶体生长炉升温至2000-2100℃，待蓝宝石熔化成熔体；步骤S4：下籽晶，进行引晶；步骤S5：以10～100mm/h的速度进行晶体生长，至晶体生长结束；步骤S6：进行晶棒的退火处理，退火温度1600～2000℃，退火时间l0～20hr；步骤S7：以10～60℃/h的速度缓慢降温；步骤S8：炉

专利类型：发明专利

专利号：CN201210017957.8

专利申请（专利权）人：上海中电振华晶体技术有限公司

专利发明（设计）人：维塔利·塔塔琴科;刘一凡;牛沈军;陈文渊;朱枝勇;李东振;帕维尔·斯万诺夫

主权项：一种蓝宝石晶体的生长方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S1：将设定重量的高纯蓝宝石块料或粉料装入坩埚中，而后将坩埚置于晶体生长炉内；所述坩埚中设有导模模具；所述导模模具的截面为方形、或长方形，其中心具有能够使蓝宝石熔体形成毛细现象的小孔；或者，所述导模模具为截面为方形或长方形的环形模具；导模模具的材料与蓝宝石熔体具有浸润性的耐高温材料或其合金材料；步骤S2：将晶体生长炉抽真空，真空度～10?3Pa；步骤S3：通过主加热器控制晶体生长炉升温至2000?2100℃，待蓝宝石熔化成熔体，模具顶部形成熔

专利地区：上海