原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法

摘要：本发明公开了一种原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法。薄膜由垂直生长、分布均匀的纳米片组成，且薄膜与基底结合牢固；不经紫外光照即具有超亲水性，薄膜可用于污水催化降解处理，催化降解室内异味等场合。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010606347.2

专利申请（专利权）人：中国科学院兰州化学物理研究所

专利发明（设计）人：冶银平;杜雯;李红轩;赵飞;吉利;权伟龙;陈建敏;周惠娣

主权项：一种原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：A、清洗：将玻璃片、硅片或不锈钢片进行清洗、干燥，作为基片；B、置样：将基片放置在真空磁控溅射镀膜装置中样品架上；C、抽本底真空：抽本底真空至4×10?3Pa～7.6×10?3Pa；D、等离子体清洗基片表面：开启微波电源，调节磁场电流为100?140A，微波功率阳极电流为100?150mA，通入Ar气，60～100sccm，使腔室压强为～0.6Pa，产生等离子体清洗样品表面20min；E、溅射镀膜：调小Ar气气流量至50～85sc

专利地区：甘肃