基片加热腔室、使用基片加热腔室的方法及基片处理设备专利登记公告
专利名称：基片加热腔室、使用基片加热腔室的方法及基片处理设备
摘要：本发明提供一种基片加热腔室、使用基片加热腔室的方法以及基片处理设备。其中，基片加热腔室至少可同时加热2片基片，用于在基片处理工艺之前对基片进行加热。借助该基片加热腔室对基片进行加热能够有效避免后续的基片处理工艺因等待基片加热而处于空闲状态的问题，从而可有效提高设备的产能利用率。此外，本发明提供的使用基片加热腔室的方法及基片处理设备同样能够有效提高设备的产能利用率。
专利类型：发明专利
专利号：CN201010606908.9
专利申请（专利权）人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
专利发明（设计）人：夏威
主权项：一种基片加热腔室，用于在基片处理工艺之前对基片进行加热，其特征在于，所述基片加热腔室至少可同时加热2片基片。
专利地区：北京
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