一种控制先驱体晶粒度制备FeS₂薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种控制先驱体晶粒度制备FeS₂薄膜的方法

摘要：本发明公开了一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法。镀膜基底在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗，再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗烘干；溅射纯Fe膜，控制基底温度及厚度。将纯Fe膜和硫粉封装于玻璃管中硫化处理。发明可得到细小均匀的先驱体铁膜晶粒度，晶粒尺寸大小可方便控制。可以利用优化先驱体膜溅射及随后的硫化处理两不同技术的优化，灵活控制最终得到的FeS2薄膜质量及状态，控制手段和过程更为灵活，有利于优化制备技术。也可为FeS2薄膜的工业化生产提供更多选择。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210006606.7

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：孟亮;王峰;汪牡丹

主权项：一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：1）在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗镀膜基底；2）再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗，烘干；3）将镀膜基底置于磁控溅射设备中，采用不同温度加热镀膜基底；4）在镀膜基底上溅射纯Fe膜，通过调整溅射功率和时间溅射控制纯Fe膜厚度后保温；5）将溅射得到的纯Fe膜和纯硫粉封装于玻璃管中；6）封装后的纯Fe膜经硫化处理形成FeS2薄膜。

专利地区：浙江