LDMOS晶体管、布局方法和制作方法专利登记公告

专利名称：LDMOS晶体管、布局方法和制作方法

摘要：本发明提供了一种LDMOS晶体管的结构、制作方法及其布局方法，所述结构包括：衬底；位于衬底内的第一掺杂阱和第二掺杂阱；栅极结构，位于所述第一掺杂阱和第二掺杂阱上方；包围所述第一掺杂阱和第二掺杂阱的第一隔离结构；第二隔离结构，所述第二隔离结构的一侧与所述栅极结构相邻，所述第二隔离结构有相对的两端与所述第一隔离结构相连接；源区，位于所述第一掺杂阱内，所述源区内形成有第三隔离结构，用于增大所述源区电阻；漏区，位于所述第一隔离结构与第二隔离结构之间的第二掺杂阱内；层间介质层，位于所述衬底表面；位于层间介质层内的源

专利类型：发明专利

专利号：CN201010608460.4

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

专利发明（设计）人：曹国豪;陈德艳;郑大燮

主权项：一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一掺杂阱，位于所述衬底内；第二掺杂阱，位于所述衬底内，所述第二掺杂阱与所述第一掺杂阱相邻；栅极结构，位于所述第一掺杂阱和第二掺杂阱上方，且所述栅极结构部分覆盖所述第一掺杂阱和第二掺杂阱；第一隔离结构，位于所述衬底内，且所述第一隔离结构包围所述第一掺杂阱和第二掺杂阱；第二隔离结构，位于所述第二掺杂阱内，所述第二隔离结构的一侧与所述栅极结构相邻，所述第二隔离结构有相对的两端与所述第一隔离结构相连接；源区，位于所述第一掺杂阱内，所述源区内形成有第三隔离结构，所述第

专利地区：北京