晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法

摘要：本发明涉及晶体管、包括该晶体管的半导体器件以及所述晶体管和所述半导体器件的制造方法。根据本发明的晶体管包括：衬底，至少包括顺序堆叠的基底层、第一半导体层、绝缘层和第二半导体层；形成在第二半导体层上的栅极叠层；分别位于栅极叠层两侧的源区和漏区；背栅，包括分别由绝缘层和第一半导体层形成的背栅电介质和背栅电极；以及形成于背栅电极的一部分上的背栅接触。其中，背栅接触包括从背栅电极的表面凸出的外延部分，并且源区和漏区中的每一个都包括从第二半导体层的表面凸出的外延部分。与常规的晶体管相比，本发明的晶体管的制造工艺简化

专利类型：发明专利

专利号：CN201010610932.X

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：梁擎擎;朱慧珑;钟汇才

主权项：一种晶体管，包括：衬底，所述衬底至少包括顺序堆叠的基底层、第一半导体层、绝缘层和第二半导体层；形成在所述第二半导体层上的栅极叠层；分别位于所述栅极叠层两侧的源区和漏区；背栅，所述背栅包括分别由所述绝缘层和所述第一半导体层形成的背栅电介质和背栅电极；以及形成于所述背栅电极的一部分上的背栅接触，其中，所述背栅接触包括从所述背栅电极的表面凸出的外延部分，并且所述源区和所述漏区中的每一个都包括从所述第二半导体层的表面凸出的外延部分。

专利地区：北京