晶体管及其制作方法专利登记公告

专利名称：晶体管及其制作方法

摘要：本发明提供了一种晶体管及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体层，所述半导体层的晶向与所述半导体衬底的晶向不同；在所述半导体层上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底和半导体层内形成源区和漏区；在所述半导体层上形成与所述伪栅极结构齐平的层间介质层；去除所述伪栅极结构，在所述层间介质层内形成开口，所述开口露出下方的半导体层；对所述开口露出的半导体层进行非晶化的步骤，形成沟道层；对所述沟道层进行退火，使得所述沟道层的晶向与所述半导体衬底的晶向相同；在所述开口内形成金属

专利类型：发明专利

专利号：CN201010612652.2

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

专利发明（设计）人：三重野文健

主权项：一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体层，所述半导体层的晶向与所述半导体衬底的晶向不同；在所述半导体层上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底和半导体层内形成源区和漏区；在所述半导体层上形成与所述伪栅极结构齐平的层间介质层；去除所述伪栅极结构，在所述层间介质层内形成开口，所述开口露出下方的半导体层；对所述开口露出的半导体层进行非晶化的步骤，形成沟道层；对所述沟道层进行退火，使得所述沟道层的晶向与所述半导体衬底的晶向相同；在所述开口内形成金属栅极结构，

专利地区：北京