半导体器件及其形成方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其形成方法

摘要：本申请提供了一种半导体器件及其形成方法。根据本发明的实施例，半导体器件包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底上；半导体基体，所述半导体基体位于所述绝缘层上；空腔，所述空腔形成于所述半导体基体和绝缘层中；源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体的相对的第一侧面；栅极，所述栅极位于所述半导体基体的相对的第二侧面上；在所述第二侧面和所述空腔之间夹有沟道层；超陡后退阱及晕环超陡后退阱，形成于所述沟道层中，所述超陡后退阱与晕环超陡后退阱掺杂类型相反。利于减小半导体器件中的短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容，并可调节

专利类型：发明专利

专利号：CN201010617418.9

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：朱慧珑;吴昊;肖卫平

主权项：一种半导体器件，包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底上；半导体基体，所述半导体基体位于所述绝缘层上；空腔，所述空腔形成于所述半导体基体和绝缘层中；源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体的相对的第一侧面；栅极，所述栅极位于所述半导体基体的相对的第二侧面上，其特征在于，还包括：在所述第二侧面和所述空腔之间夹有沟道层；超陡后退阱及晕环超陡后退阱，形成于所述沟道层中，所述超陡后退阱与晕环超陡后退阱掺杂类型相反。

专利地区：北京