晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：晶体管及其制造方法

摘要：本发明涉及晶体管以及所述晶体管的制造方法。根据本发明实施例的晶体管可以包括：衬底，所述衬底至少包括顺序堆叠的晶体管的背栅、绝缘层和半导体层，其中所述晶体管的背栅用于调节所述晶体管的阈值电压；形成在所述半导体层上的栅极叠层，所述栅极叠层包括栅极电介质和形成在该栅极电介质上的栅电极；形成在所述栅极叠层的侧壁上的侧墙隔离层；以及分别位于所述栅极叠层两侧的源区和漏区，其中，所述栅极叠层的高度小于所述侧墙隔离层的高度。所述晶体管使得栅极叠层的高度得以降低并由此改善了晶体管的性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010622874.2

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：梁擎擎;钟汇才;朱慧珑

主权项：一种晶体管，包括：衬底，所述衬底至少包括顺序堆叠的晶体管的背栅、绝缘层和半导体层，其中所述晶体管的背栅用于调节所述晶体管的阈值电压；形成在所述半导体层上的栅极叠层，所述栅极叠层包括栅极电介质和形成在该栅极电介质上的栅电极；形成在所述栅极叠层的侧壁上的侧墙隔离层；以及分别位于所述栅极叠层两侧的源区和漏区，其中，所述栅极叠层的高度小于所述侧墙隔离层的高度。

专利地区：北京