高电压半导体元件专利登记公告

专利名称：高电压半导体元件

摘要：本发明公开了一种高电压半导体元件，用于高电压应用，包括一掺杂源基极区、一N+源极区、一P+源极区和一栅极结构。此掺杂源基极区为P型。此N+源极区向下延伸入此掺杂源基极区。此P+源极区邻近此N+源极区并向下延伸入此掺杂源基极区，且相较于此掺杂源基极区是具有较重掺杂。此栅极结构耦接至此N+源极区且邻近此P+源极区。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010623359.6

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：黄学义;黄胤富;连士进

主权项：一种半导体元件，其特征在于，包括：一掺杂源基极区，是P型；一N+源极区，向下延伸入该掺杂源基极区；一P+源极区，邻近该N+源极区，并向下延伸入该掺杂源基极区，且相较于该掺杂源基极区是具有较重掺杂；以及一栅极结构，耦接至该N+源极区，且邻近该P+源极区。

专利地区：台湾