互连结构的制造方法专利登记公告

专利名称：互连结构的制造方法

摘要：一种互连结构的制造方法，通过控制形成铜金属互连线过程中的化学机械研磨工艺，使用相对阻挡层对铜的选择比更大的研磨剂去除阻挡层上的铜金属和改变去除阻挡层之前的清洗工艺，使得所形成的互连结构中阻挡层比铜金属和金属层间介电层凸出，阻挡了铜金属互连结构上的离子向金属层间介电层迁移。该发明能够防止同层的金属互连线之间产生漏电流，提高了同层的铜金属互连线之间的击穿电压，改善了所制造半导体器件的介质时间相关击穿特性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010613437.4

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

专利发明（设计）人：邓武锋

主权项：一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属层间介电层，所述金属层间介电层内形成有开口，所述开口中和金属层间介电层上沉积有阻挡层，所述阻挡层上沉积有铜金属，所述铜金属填满开口并覆盖金属层间介电层上的阻挡层；进行第一阶段化学机械研磨，平坦化所述阻挡层上的铜金属；用相对于阻挡层对铜的选择比更大的研磨剂进行第二阶段化学机械研磨，去除所述阻挡层上的铜金属，保留金属层间介电层开口内的铜金属；降低所述半导体衬底的温度；进行第三阶段化学机械研磨，去除所述金属层间介电层上的阻挡层。

专利地区：北京