一种在晶片上生长含碳薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种在晶片上生长含碳薄膜的方法

摘要：本发明提供一种在晶片上生长含碳薄膜的方法，所述方法使用带有气体分流盘的反应室，且气体分流盘的气体分流面朝向反应室内，气体分流面具有气体分流孔，包括：a）经由气体分流孔向反应室内通入反应气体，以在气体分流面上生长牺牲薄膜，其中，生长牺牲薄膜的方法为等离子体增强化学气相沉积法；b）将晶片放入反应室内，经由气体分流孔向反应室内通入含碳气体以在晶片上生长含碳薄膜；c）移出晶片，并去除牺牲薄膜。本发明的方法能够防止高能量的等离子体对气体分流盘造成损伤，从而在既能彻底去除有机残留物的同时，又能避免损伤气体分流盘，从而

专利类型：发明专利

专利号：CN201010615163.2

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种在晶片上生长含碳薄膜的方法，所述方法使用带有气体分流盘的反应室，且所述气体分流盘的气体分流面朝向所述反应室内，所述气体分流面具有气体分流孔，其特征在于，所述方法包括：a）经由所述气体分流孔向所述反应室内通入反应气体，以在所述气体分流面上生长牺牲薄膜，其中，生长所述牺牲薄膜的方法为等离子体增强化学气相沉积法；b）将晶片放入所述反应室内，经由所述气体分流孔向所述反应室内通入含碳气体以在所述晶片上生长所述含碳薄膜；和c）移出所述晶片，并去除所述牺牲薄膜。

专利地区：上海