氮化硅膜的成膜方法和成膜装置专利登记公告
专利名称：氮化硅膜的成膜方法和成膜装置
摘要：本发明提供一种即使是极薄膜状态也能够使物理特性和电特性优异的氮化硅膜成膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为氮化硅膜的晶种的晶种层(步骤2～4)。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110433909.2
专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社
专利发明（设计）人：村上博纪;渡边要介;长谷部一秀
主权项：一种氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使所述氮化硅膜在所述被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为所述氮化硅膜的晶种的晶种层。
专利地区：日本
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。