半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法专利登记公告

专利名称：半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法

摘要：本发明提供一种半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法。该方法通过离子注入掺杂工艺形成SONOS非易失性存储器，根据本方法生产的半导体器件，具有很好的可靠度，较好的资料保存能力和较好的重复读写的忍受度。此外，本发明的制作半导体器件结构的方法，充分利用现有设备、材料和工艺，不会增加生产线的复杂度，而且制作方法简单易行，不需要耗费额外的人力和物力，从而提高半导体器件的整体性能并简化工艺流程。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010615165.1

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：禹国宾;三重野文健

主权项：一种制作半导体器件结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：a）提供半导体衬底；b）在所述半导体衬底的表面形成隧道氧化层；c）在所述隧道氧化层的表面形成存储节点层；d）对所述存储节点层进行离子注入；e）在所述存储节点层的表面形成阻挡氧化层；f）在所述阻挡氧化层的表面形成栅电极；g）在所述半导体衬底上形成被浅沟槽隔离的源区和漏区；h）去除所述源区和所述漏区上的所述栅电极、所述阻挡氧化层、所述存储节点层和所述隧道氧化层。

专利地区：上海