制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法专利登记公告

专利名称：制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法

摘要：本发明公开了一种制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法。该方法包括：将基板进行切割；将切割件进行烧结；烧结后的切割件填充至原有基板并注蜡进行固定；第二层到第n层基板均按上述工艺得到；将n层基板层压烧结；拆除各个切割件即可获得一种具有通道的低温共烧陶瓷基板。本发明中，由于存在原切割件的支撑作用，在成品的基板中通道侧壁的形状在烧制前后可以基本保持不变。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010591318.3

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：朱旻;张海英;杜泽保;尹军舰

主权项：一种制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法，其特征在于，包括：步骤A，切割第一低温共烧陶瓷LTCC带层中预设区域，获得第一切割件和第一中空件；步骤B，在第一烧结温度下烧结所述第一切割件；步骤C，将所述烧结后的第一切割件放置入所述第一中空件，并用填充物固定所述第一切割件和所述第一中空件，形成第一LTCC叠层；步骤D，至少在所述第一LTCC叠层上堆垛由所述步骤A?C制备的第二LTCC叠层，以形成LTCC堆垛，自上至下或自下至上，所述LTCC堆垛中各LTCC叠层的切割件的边缘与所述切割件中心的距离逐渐减小；步骤E

专利地区：北京