双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法专利登记公告

专利名称：双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法

摘要：双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合

专利类型：发明专利

专利号：CN201010616548.0

专利申请（专利权）人：北京工业大学

专利发明（设计）人：关宝璐;任秀娟;郭霞;李硕;史国柱;李川川;郝聪霞;郭帅;周弘毅;苏治平;陈树华

主权项：双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构，其特征在于，由两部分组成：一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)；这两部分通过粘合层(5)粘合在一起；微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、氧化限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；微机电系统体结构薄膜(20

专利地区：北京