偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法专利登记公告

专利名称：偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法

摘要：本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形式双折射”效应，TE、TM偏振模式在谐振腔分别满足不同的F-P标具方程，两偏振模式的谐振波长分离，设计TE偏振模式波长在中心波长处，该模式比TM偏振模式需更低的阈值增益，优先激射，TM偏振模式将被抑制，从而使偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器在波长连续调谐过程中具有波长偏振稳定输出的功能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210019209.3

专利申请（专利权）人：北京工业大学

专利发明（设计）人：关宝璐;郭霞;史国柱;李硕;王强;周弘毅;陈树华;苏治平

主权项：一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器，其特征在于，采用双片集成结构，具体的：在半对称激光器中，从上到下依次为亚波长光栅(6)、p型注入电极(5)、P型欧姆接触层(12)、P型铝砷化镓对层(15)、铝砷化镓氧化电流限制层(7)、有源区(8)、n型铝砷化镓对层(9)、n型砷化镓衬底(1)、衬底欧姆接触电极层(11)，微机械薄膜中，调谐电极欧姆接触层(10)、调谐电极(3)交替生长19对铝砷化镓层、砷化镓层(2)，构成激光器上分布反馈布拉格反射镜(DBR)微机械薄膜结构；每层铝砷化镓层、砷化镓层的厚度为波长四分

专利地区：北京