半导体器件的形成方法专利登记公告

专利名称：半导体器件的形成方法

摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，及位于衬底上的栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；在所述侧墙的表面形成辅助侧墙；在暴露出的衬底和辅助侧墙的表面形成金属层；对所述金属层进行退火，在所述衬底内形成金属硅化物，所述辅助侧墙用于阻止金属层向侧墙内进行横向扩散，避免在侧墙上形成金属硅化物。本发明通过在侧墙上形成辅助侧墙，加大了位于栅极结构两侧衬底内的金属硅化物的间距，避免金属扩散形成的金属硅化物增强沟道区的漏电性能，进一步避免源/漏区和栅极电连接，以提高半导体器件性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010616772.X

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

专利发明（设计）人：李凤莲;倪景华

主权项：一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，及位于衬底上的栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；在所述侧墙的表面形成辅助侧墙；在暴露出的衬底和辅助侧墙的表面形成金属层；对所述金属层进行退火，在所述衬底内形成金属硅化物，所述辅助侧墙用于阻止金属层向侧墙内进行横向扩散，避免在侧墙上形成金属硅化物。

专利地区：北京