NMOS晶体管的形成方法专利登记公告

专利名称：NMOS晶体管的形成方法

摘要：本发明提供一种NMOS晶体管的形成方法，包括：提供衬底，及位于衬底上的栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行离子注入，在栅极结构两侧的衬底内形成源区和漏区；在暴露出的衬底表面和栅极结构表面形成阻挡层；在所述阻挡层上形成应力层，所述阻挡层用于阻挡形成应力层环境中的氢元素进入所述源区和漏区；对所述源区和漏区进行热处理；去除所述阻挡层和应力层。本发明在形成应力层前，先在所述衬底表面和栅极结构表面上形成致密的阻挡层，阻挡形成所述应力层环境中的氢元素进入所述衬底内的源区/漏区，避免氢元素加强源区/漏区的掺杂

专利类型：发明专利

专利号：CN201010620564.7

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

专利发明（设计）人：鲍宇;张彬

主权项：一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，及位于衬底上的栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行离子掺杂，在栅极结构两侧的衬底内形成源区和漏区；在暴露出的衬底表面和栅极结构表面形成阻挡层，并在所述阻挡层上形成应力层；对所述源区和漏区进行热处理，激活源区和漏区内的掺杂离子；去除所述阻挡层和应力层。

专利地区：北京